当晶体管微缩逐渐逼近物理极限，半导体产业的创新重心正悄然从芯片内部转移至芯片外部。作为芯片性能的 “第二战场”，封装材料领域正经历一场从依赖硅基材料到多元材料体系重构的深刻变革。
北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表，实测性能超越国际巨头，二维堆叠技术使中国半导体站上1纳米制程竞争最前沿。
微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC 固态技术协会今天宣布发布备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM 标准：HBM4。
随着储能系统日趋复杂，储能产品的种类与数量持续攀升。储能系统需要实时采集电池电压、温度、电流等关键参数，这就要求具备专门的数据处理功能，以降低云端延迟，提高响应速度。在此背景下，边缘计算芯片应运而生。
从汽车市场来看，在智能驾驶、智能座舱等领域需要大算力SoC芯片，这方面涉足的RISC-V芯片寥寥无几；而在汽车中随处可见的MCU中，又以Arm架构一骑绝尘，鲜见RISC-V身影。但RISC-V会上车，这是肯定的，也是大趋势。
由于高带宽内存（HBM）的需求激增，SK海力士决定将今年的计划资本支出提高 30%。消息人士称，该芯片制造商最初计划今年斥资 22 万亿韩元扩建其设施，但这一数字已升至 29 万亿韩元。
