事实上，安靠近期对于新封测厂计划的一系列动作，折射出了整个先进封装产业的现状。随着先进封装的需求与日俱增，各国政府都在加码利好政策，相关巨头便不断进行扩产。同时，企业之间的合作也正在成为行业新常态。先进封装的产业逻辑，已经发生了改变。
这种扩张不仅是产量增长的结果，也是深刻的技术变革重新定义行业的结果。随着先进封装成为高性能计算 (HPC)、人工智能 (AI) 和汽车应用的关键，后端不再是事后诸葛亮。相反，它已成为半导体性能和系统级集成的关键推动因素。
AI芯片和算力对于一个国家的重要性毋庸置疑。在很多分析人士看来，在人工智能遍地开花的当下，“算力”就像水、电一样重要。
先进封装已成为后摩尔时代芯片算力提升的核心手段。随着晶体管不断缩小，芯片尺寸达到光罩极限，将大芯片分割成更小的Chiplet，通过2.5D、3D堆叠打破限制便成为破局关键。
然而，在此过程中，玻璃基板赛道已悄然从英特尔“一家独大”变成了多大厂“群雄争霸”：三星、Absolics、LG Innotek等企业这半年纷纷取得可观的进展，在各自的路线图上稳步推进。在这一片乱局中，玻璃基板的商业化可能真的要来了。
12英寸碳化硅在近期产业内迎来两大新需求：AI眼镜市场爆发，推动碳化硅AR光波导镜片量产节奏；为了进一步提高散热效率，英伟达决定在下一代Rubin GPU中，将用碳化硅中介层替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层，并最晚在2027年广泛应用。
企业上半年财报显示，2025年，模拟芯片正走出周期性低谷，加快复苏步伐。面向人工智能、汽车电动化、通信技术演进、光伏技术升级等一系列新兴场景，国内厂商正在从产品性能、工艺协同、设计方法学、封装等多个维度开展创新，逐步向市场参与度不足的高端领域渗透。
近日，SEMI在《全球半导体设备市场报告》中宣布，2025年第二季度全球半导体设备出货金额达到330.7亿美元，同比增长24%。受先进逻辑制程、HBM相关DRAM应用以及亚洲地区出货量增加的推动，2025年第二季度销售额环比增长3%。
在多种先进封装技术中，硅中介层都起到重要的作用。在台积电CoWoS封装中，硅中介层是高密度互连的核心，是实现多芯片集成和高性能的关键。不过最近有消息称，英伟达决定在下一代Rubin GPU中，为了进一步提高散热效率，将用碳化硅中介层替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层，并最晚在2027年广泛应用。
混合键合是垂直集成和3D系统性能的关键推动因素，它依赖于极其紧密的对准和无缺陷的键合表面。但随着互连间距的缩小，即使是纳米级的高度、倾斜度或污染变化也可能导致部分或完全键合失效。
先进封装在不同市场中的多样化需求和产量，推动其市场规模从380亿美元增长至2030年的790亿美元。这一增长由各种需求和挑战驱动，但仍保持持续上升的趋势。这种多功能性使先进封装能够保持持续创新和适应，满足不同市场在产量、技术要求和平均售价方面的特定需求。
Hybrid Bonding（混合键合）是一种先进封装技术，结合了介电键合（如 SiO₂）和金属键合（如铜 - 铜键合），无需焊料凸块，可实现芯片间高密度、高性能互连，适用于 3D IC、先进逻辑芯片、存储芯片及图像处理器芯片的三维堆叠。
