众所周知,从5G到6G的转变将需要半导体技术、电路、系统和相关算法的彻底升级。例如,其中涉及的主要半导体元件,也就是由一种名为氮化镓(GaN)的神奇导体制成的射频放大器,需要速度更快、功率更大、可靠性更高。
在半导体行业步入“后摩尔时代”的当下,芯片制程工艺的物理极限倒逼技术创新转向封装领域。先进封装技术凭借其突破传统封装的高密度集成、高性能优化及成本优势,成为推动AI、HPC、5G等前沿领域发展的核心引擎。
芯片制造商在硅片上蚀刻复杂的图案,制造出驱动我们周围大多数电子设备和技术的半导体,正是如此。随着我们要求更小的设备拥有更高的功率和速度,以极高的精度雕刻这些图案的需求变得越来越迫切,也越来越具有挑战性。
近期,存储芯片市场迎来了新一轮的涨价潮,多家存储头部企业纷纷宣布提高部分产品报价。国内存储企业也紧跟步伐,纷纷上调提货价格。在1个月之前,业界还普遍预估存储芯片价格有望在今年6月份或7月份启动上涨,如今上涨提前到来,存储市场是否进入了复苏期?
包括韩美在内的设备厂商,正是韩国能在HBM设备上卡脖子的底气所在,不过从长期来看,韩国若执意限制出口,反而会倒逼国内HBM生态链加速建立,涵盖TCB设备、COWOS封装、HBM堆叠、芯粒设计、EDA协同等一整套本土化路径。
今天(5月19日),小米集团创始人、董事长兼CEO雷军在个人社交平台发布消息,小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。这是中国大陆地区首次成功实现3nm芯片设计的突破,紧追国际先进水平,填补了大陆地区在先进制程芯片研发设计领域的空白。
最近,蔚来的NT3.0平台和NT2.5平台车型上,重新出现了OBC的身影。蔚来曾在2021年推出的NT2.0平台上,全系车型取消了交流慢充口,仅保留直流快充口,当然,也就不需要OBC了。
小芯片(Chiplets)在半导体功能与生产效率上实现了巨大飞跃,这一变革恰似 40 年前软 IP 所引发的行业突破。但在这一愿景成真之前,仍有大量协同工作需要完成 —— 构建成熟的生态系统是核心挑战,而当前该生态系统尚处于初级阶段。
最近,semiengineering的文章指出,由于复杂性不断上升,芯片制造从单片芯片转向多芯片组件,需要进行更多次迭代,以及定制化程度不断提高导致设计和验证更加耗时,首次流片的成功率正在急剧下降。
通过利用太空的独特条件——包括微重力、真空和极端温差——“太空锻造”正在释放制造地球上无法生产的材料的能力。这些进步在半导体、量子计算、清洁能源和国防技术领域有着广泛的应用。
三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露,该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术,以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下,据EBN报道,该公司的竞争对手SK海力士可能会推迟采用混合键合技术。
ASML的光学投影光刻机的热度经久不衰,伴随着High NA EUV光刻机和国产光刻机概念引发的关注,各种行业研报层出不穷。相比之下,电子束光刻的赛道就显得冷清了。