目前，业内在AI训练硬件分为了两大阵营：采用晶圆级集成技术的专用加速器（如Cerebras WSE-3和Tesla Dojo）和基于传统架构的GPU集群（如英伟达 H100）。晶圆级芯片被认为是未来的突破口。
一枚比硬币还小的芯片，正以0.1毫米的精度扫描世界，撑起智能时代的“数字感官系统”。
随着半导体器件不断向高性能、小型化方向发展，传统的焊球互连方式在高密度封装中逐渐暴露出诸如布线密度低、热管理差、信号完整性不佳等问题。在此背景下，铜柱凸块（Cu-Pillar Bump）技术应运而生，并迅速成为先进封装领域的重要趋势之一。
作为全球第二大半导体材料（仅次于硅），氮化镓（GaN）凭借其独特性能已成为照明、雷达系统和功率电子器件的理想选择。尽管该材料已应用数十年，但若要充分发挥其性能优势，必须实现 GaN 晶体管与硅基数字芯片（即 CMOS 芯片）的高效互联。
6月20日，由世界半导体大会组委会、世界集成电路协会共同主办的“2025世界半导体大会国际峰会”在南京国际博览中心召开。会上，世界集成电路协会发布了《全球半导体市场发展展望与中国集成电路创新百强企业报告》。
有报道显示，台积电2纳米工艺研发取得关键进展，目前芯片良率已达60%的量产门槛，远超竞争对手40%的水平，技术优势显著。
