半导体

3D NAND 的 300层堆叠角逐才刚刚启幕,千级堆叠已是行业明确的发展方向。可一旦层数迈过 300 层门槛,物理约束与成本效益的双重约束便接踵而至,传统堆叠方案难以为继。一众厂商对外继续角逐层数榜单,内部布局的技术赛道却早已改弦易辙。
光刻波长从193 nm到13.5 nm剧烈变化,使得EUV光刻工艺需要全新的元器件和材料,这意味着需要在工作波长(即13.5 nm)下重新开展元器件检测和材料相互作用研究。

本站热榜

日排行
周排行
月排行
热点资讯