半导体

从英伟达、台积电、博通、美满到AMD,全球科技巨头正以前所未有的速度押注光互连,从光引擎、光子芯片、交换机到先进封装全面布局。谁率先跨越成本、良率与量产门槛,谁就有机会掌握下一代AI数据中心的话语权。
3D NAND 的 300层堆叠角逐才刚刚启幕,千级堆叠已是行业明确的发展方向。可一旦层数迈过 300 层门槛,物理约束与成本效益的双重约束便接踵而至,传统堆叠方案难以为继。一众厂商对外继续角逐层数榜单,内部布局的技术赛道却早已改弦易辙。
光刻波长从193 nm到13.5 nm剧烈变化,使得EUV光刻工艺需要全新的元器件和材料,这意味着需要在工作波长(即13.5 nm)下重新开展元器件检测和材料相互作用研究。

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