DRAM封装技术几经变迁，从双列直插封装DIP、J型引脚小外形封装SOJ、薄型小尺寸封装TSOP、底部引线塑料封装BLP、焊球阵列封装BGA（F-BGA、W-BGA），发展到芯片级封装CSP、堆叠封装等高性能封装方式。在成本允许的条件下，可尽量采用先进的封装技术，以提升DRAM性能。
AI快速走热的这一年多来，不断增长的算力需求对本就陷入瓶颈的芯片制程技术带来了挑战。微缩工艺可以通过不断缩小晶体管尺寸来提高芯片集成度和性能，但随着制程技术越来越接近物理极限，微缩工艺的发展空间越来越小。
美国东部时间11月21日，美国政府宣布，将投入约30亿美元的资金，用于芯片先进封装行业。这一举措旨在提高美国在先进封装领域的市场份额，补足其半导体产业链的短板。
特别是，国家先进封装制造计划的约 30 亿美元资金将用于推动美国在先进封装领域的领导地位。该计划的初始资助机会预计将于 2024 年初公布。支持创新并让美国保持在新研究的前沿是总统投资美国议程的重要组成部分。
封装在向更高功率密度的过渡中发挥着越来越重要的作用，从而实现更高效的电源、电力传输、更快的转换以及更高的可靠性。随着全球转向更快的开关频率和更高的功率密度，用于基板、芯片贴装、引线键合和系统冷却的材料也发生了相关的变化。
随着芯片制成演进到个位数纳米时代，制程难度和内部结构的复杂性不断增加，制造流程更加复杂，芯片设计成本大幅增加，这也是Chiplet受到关注的主要因素。另外，近年来摩尔定律的发展日趋放缓。
