随着半导体器件不断向高性能、小型化方向发展，传统的焊球互连方式在高密度封装中逐渐暴露出诸如布线密度低、热管理差、信号完整性不佳等问题。在此背景下，铜柱凸块（Cu-Pillar Bump）技术应运而生，并迅速成为先进封装领域的重要趋势之一。
作为全球第二大半导体材料（仅次于硅），氮化镓（GaN）凭借其独特性能已成为照明、雷达系统和功率电子器件的理想选择。尽管该材料已应用数十年，但若要充分发挥其性能优势，必须实现 GaN 晶体管与硅基数字芯片（即 CMOS 芯片）的高效互联。
6月20日，由世界半导体大会组委会、世界集成电路协会共同主办的“2025世界半导体大会国际峰会”在南京国际博览中心召开。会上，世界集成电路协会发布了《全球半导体市场发展展望与中国集成电路创新百强企业报告》。
有报道显示，台积电2纳米工艺研发取得关键进展，目前芯片良率已达60%的量产门槛，远超竞争对手40%的水平，技术优势显著。
预计2025 年下半年全球对下一代 2 纳米半导体的领先竞争将愈演愈烈，顶级代工厂台积电和三星电子准备开始大规模生产。与此同时，英特尔也希望通过推出更先进的1.8nm制程技术来超越竞争对手。
LED封装胶作为关键材料，对LED芯片的光效、热稳定性和光学性能有着重要影响。近期，上海大学绍兴研究院张齐贤教授团队在先进半导体封装材料领域实现了核心技术突破，研发出了具有自主知识产权的高端封装材料。
