产业丨带宽需求在提升,存储市场近年还能复苏吗?

方文三
进入2022年,全球半导体行业的发展速度放缓,并在9月首次出现了负增长。这一负增长的趋势至今仍未得到扭转。

本文来自AI芯天下,作者/方文三。

进入2022年,全球半导体行业的发展速度放缓,并在9月首次出现了负增长。这一负增长的趋势至今仍未得到扭转。

然而,从周期位置的角度来看,半导体行业目前仍然处于周期的底部。

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AIGC应用催生存储市场新空间

AIGC应用对服务器资源的需求也赋予存储行业新的发展信心,算力需求从云端向端侧转移,对带宽也会提出新的挑战。

2023年第二季度,DRAM产业营收环比增幅高达20.4%,达到114.3亿美元,终结了连续三个季度的下跌趋势。

海力士作为HBM产品领域的领导者,不断推动HBM产品的升级迭代。

此外,三星电子和SK海力士正在积极加速推动12层HBM内存的生产,而美光HBM3Gen2将于2024年初量产。

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TrendForce预测,2022-2026年期间,AI服务器出货量复合增长率为22%,预计2023年出货量达到118.3万台,占整体服务器出货量约9%。

AI服务器的算力需求需要先进制程、大容量规格的存储产品,包括DDR5、HBM以及大容量SSD。

根据TrendForce数据,AI服务器对DRAM内存的需求量为1.2—1.7TB,SSD内存的需求量为4.1TB,HBM容量需求为320—640GB。

目前AI服务器成长需求较为强劲,预估2023年AI服务器出货量近120万台,年增率近38%,AI服务器的大幅增长有望带来价值增量。

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汽车存储市场出现增长因素

汽车存储市场发展迅速,主要以智能座舱和ADAS&AD为主。

根据预测,从2021年到2027年,汽车存储市场的年均复合增长率将达到20%,这一增速超过了同期存储器市场和汽车半导体市场的增速。

预计到2027年,智能座舱仍将是存储领域的最大消费者。然而,ADAS&AD的收入份额将增加至36%。

在技术方面,DRAM和NAND将占汽车内存收入的90%左右。

车载市场目前主要的存储应用包括DRAM(DDR、LPDDR)和NAND(eMMC和UFS等)。其中,低功耗的LPDDR和NAND将成为主要增长点。

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云计算资本开支增长创新高

2022年全球云计算资本开支同比增长19.6%至1580.6亿美元。

根据FactSet与彭博一致预期,2023/2024年全球云计算资本开支预计分别同比增长3.3%/11.0%。

国内市场方面,根据我们对百度、阿里巴巴、腾讯财报的梳理,受BAT降本增效战略影响,2022年国内云计算资本开支同比下降29.25%至90.52亿美元;

随着中国AIGC领域的快速发展,预计后续BAT公司的资本开支将有望企稳回升。

根据预测,2023年和2024年国内云计算资本开支将同比增长8%和10%,达到97.7亿美元和107.5亿美元。

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NAND长期前景好坏参半

DRAM市场复苏较之NAND Flash市场更早的原因主要包括以下几点:

①DRAM市场的生产调整更为剧烈,前期减产幅度较大,这为市场复苏奠定了基础;

②DRAM在智能手机等终端应用领域的需求表现较为稳定,其需求刚性较大,这一因素也在一定程度上促成了市场的提前复苏;

③随着AI技术的快速发展,HBM(高带宽内存)的需求也有所增加,进一步推动了DRAM市场的复苏。

就NAND市场而言,其长期发展前景表现为好坏参半。

一方面,新兴的大趋势正在推动数据生成以及本地、边缘和云存储需求的大幅增长,这将为NAND市场带来新的发展机遇。

然而,另一方面,硬盘驱动器(HDD)正在不断被基于NAND的固态驱动器(SSD)所取代,从而推动了需求的强劲增长,并有可能推动市场达到新的高度。

值得注意的是,该市场存在多家大型供应商,且历史利润率较低,资本密集度不断上升。

这些因素为市场竞争带来了较大的不确定性,使得各家供应商难以保证持续稳定的盈利能力。

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DRAM依然存在不确定性

库存仍然是定价方程的重要因素。尽管一些客户已消耗了库存、当前内存库存相对正常,但供应商在过去几个季度已采取措施增加库存以稳定价格。

在NAND闪存市场方面,供应商经过一年的努力才使制造工厂恢复正常化。

目前,减产已促使供应商能够在年底前实现某种市场平衡,并预测价格将开始在预期平衡之前回升。

然而,计算已成为全球经济的重要驱动力,而DRAM则制约了计算能力。

长期DRAM需求将随着计算需求的增长而变化,并且在可见的未来,计算需求可能会继续强劲增长。

预计未来五年数据中心对DRAM的需求将以超过30%的复合年增长率增长,这将导致同期DRAM整体需求每年增长超过20%。

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DRAM及NAND价格与产能的变动关系

野村证券先前预期DRAM/NAND价格在第三季度将下跌10-12%,但现在预计将下跌15%,并预计第四季度再下跌15%(先前预计下跌10-12%)。

野村证券认为,就供需动态和价格而言,需求弹性和减产是潜在的正面催化剂。

建议关注存储器市场的两个潜在拐点:首先是需求反弹,其次是存储器市场进一步恶化随之而来的减产。

野村指出,DRAM第三季度平均销售单价(ASP)可望增长5-6%,而NAND的价格则变动不大。

虽然DRAM产能利用率下滑造成每单位固定成本上扬,但野村认为DRAM将接近损益平衡点,NAND的获利则仍有较大的改善空间。

野村预估,到了第四季度,DRAM及NAND价格将增长10-15%,高于原先5-10%的预估值,主要是由于大量减产。

一旦额外减产的效应浮现,库存明显下滑,平均销售单价升高,将加速提高存储厂的获利能力,并将拉高明年第一季的产能利用率。

此外,AI伺服器需求带旺高频宽存储(HBM),推动DRAM市场复苏,但也可能造成供给快速成长,2024年下半年起恐将供给过剩。

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结尾:

此外,无论是同比还是环比,移动手机市场均出现了正向增长。对于营收增长的原因,主要有以下三点:

一是真实需求增长;二是原厂发出涨价信号后,买方市场需求出现备货恐慌;三是受地缘的影响,美光科技所提供的某些SKU无法被采用,从而引发了结构性缺货现象。

部分资料参考:东吴证券:《存储行业拐点已至》,雷锋网:《AIGC下半场,存储市场复苏蓄势待发?》,华泰证券:《底部已过,AI推动行业进入新周期》,半导体行业观察:《存储,怎么看?》,钛媒体:《闪存价格触底反弹,AI需求激增》

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