混合键合是垂直集成和3D系统性能的关键推动因素，它依赖于极其紧密的对准和无缺陷的键合表面。但随着互连间距的缩小，即使是纳米级的高度、倾斜度或污染变化也可能导致部分或完全键合失效。
先进封装在不同市场中的多样化需求和产量，推动其市场规模从380亿美元增长至2030年的790亿美元。这一增长由各种需求和挑战驱动，但仍保持持续上升的趋势。这种多功能性使先进封装能够保持持续创新和适应，满足不同市场在产量、技术要求和平均售价方面的特定需求。
Hybrid Bonding（混合键合）是一种先进封装技术，结合了介电键合（如 SiO₂）和金属键合（如铜 - 铜键合），无需焊料凸块，可实现芯片间高密度、高性能互连，适用于 3D IC、先进逻辑芯片、存储芯片及图像处理器芯片的三维堆叠。
在半导体行业持续演进的进程中，先进封装技术已一跃成为各大晶圆大厂激烈角逐的战略要地。
随着半导体器件不断向高性能、小型化方向发展，传统的焊球互连方式在高密度封装中逐渐暴露出诸如布线密度低、热管理差、信号完整性不佳等问题。在此背景下，铜柱凸块（Cu-Pillar Bump）技术应运而生，并迅速成为先进封装领域的重要趋势之一。
LED封装胶作为关键材料，对LED芯片的光效、热稳定性和光学性能有着重要影响。近期，上海大学绍兴研究院张齐贤教授团队在先进半导体封装材料领域实现了核心技术突破，研发出了具有自主知识产权的高端封装材料。
