汽车芯片作为汽车智能化的核心支撑,在多个维度上正推动产业加速前行。
面对摩尔定律逼近物理极限的全球性挑战,具有单个原子层厚度的二维半导体是目前国际公认的破局关键,科学家们一直在探索如何将二维半导体材料应用于集成电路中。
随着芯片体积越来越小、功能越来越强大,高效的散热对于维持其性能和寿命至关重要。为了确保这种效率,业内需要一种能够预测新半导体技术(制造晶体管、互连和逻辑单元的工艺)如何改变热量产生和消散方式的工具。
当晶体管微缩逐渐逼近物理极限,半导体产业的创新重心正悄然从芯片内部转移至芯片外部。作为芯片性能的 “第二战场”,封装材料领域正经历一场从依赖硅基材料到多元材料体系重构的深刻变革。
北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管,以铋材料突破接触电阻量子极限,开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表,实测性能超越国际巨头,二维堆叠技术使中国半导体站上1纳米制程竞争最前沿。
微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC 固态技术协会今天宣布发布备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM 标准:HBM4。