芯片

随着芯片体积越来越小、功能越来越强大,高效的散热对于维持其性能和寿命至关重要。为了确保这种效率,业内需要一种能够预测新半导体技术(制造晶体管、互连和逻辑单元的工艺)如何改变热量产生和消散方式的工具。
北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管,以铋材料突破接触电阻量子极限,开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表,实测性能超越国际巨头,二维堆叠技术使中国半导体站上1纳米制程竞争最前沿。
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