马来西亚进军集成电路设计领域是一项大胆而必要的举措，彰显了其雄心壮志，以及提升其在全球半导体行业地位的愿望。但仅有雄心壮志是不够的。如果不解决根深蒂固的结构性问题，该国就有可能面临失败的风险。未来几年将是马来西亚能否打破下游魔咒的关键时期。
当晶体管微缩逐渐逼近物理极限，半导体产业的创新重心正悄然从芯片内部转移至芯片外部。作为芯片性能的 “第二战场”，封装材料领域正经历一场从依赖硅基材料到多元材料体系重构的深刻变革。
北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表，实测性能超越国际巨头，二维堆叠技术使中国半导体站上1纳米制程竞争最前沿。
微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC 固态技术协会今天宣布发布备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM 标准：HBM4。
日本对于光刻和光刻相关的各种设备和材料长期以来都占据重要市场地位，某些领域甚至可以说是支配地位，例如我们常说的光刻胶。除此之外，日本的光罩基板，特别是先进光刻所使用的光罩基板，在全球市场也几乎处于领先地位，与ASML的先进光刻机相仿，一骑绝尘。
由于高带宽内存（HBM）的需求激增，SK海力士决定将今年的计划资本支出提高 30%。消息人士称，该芯片制造商最初计划今年斥资 22 万亿韩元扩建其设施，但这一数字已升至 29 万亿韩元。
