本文来自中国电子报，作者/陈炳欣。
存储市场正经历新一轮的低潮期。业界预测今年下半年存储器价格将持续下跌，这一形势有可能延续到2023年。三星电子、SK海力士等存储大厂将面临一段下行周期的挑战。
存储市场进入下行周期，或持续至2023年
自去年第三季度达到高峰之后，存储器价格便开始一路下滑，至今仍未有缓解迹象。集邦咨询预测，2022年第三季度DRAM价格将下跌3%～8%，其中消费级存储市场的跌幅更加严重。全球的通胀形势将持续冲击消费市场，导致整体需求不振，连带DRAM市场也陷入低迷。在PC用DRAM方面，DDR4与LPDDR4X在PC端应用的比重将进一步降低；商用消费级SSD的平均搭载容量预估仅小幅上升11%，为近三年来的最低；服务器方面，由于此前市场容量已然偏高，后续的增长动能将趋缓。
NAND闪存的情况相对较好，但也处于供过于求的状态。目前，智能手机高端机型的储存容量已经推进到512GB，为手机存储市场带来基本动能。但是消费级和企业级SSD等的需求依然不振，库存压力仍然很高，因此预计第三季度NAND闪存价格跌幅将扩大至8%~13%，且跌势有可能延续至第四季度。同时，集邦咨询预期明年上半年价格仍将处于下跌状态。
存储器的下跌行情从三星电子、SK海力士、美光等公司的财报中也可以看出，几家存储厂商对下半年市场的预测均较为悲观。美光科技日前发布疲软业绩预告。由于宏观经济因素和供应链问题，客户减少了未使用芯片的库存，公司将在2022财年第四季度和2023财年第一季度面临充满挑战的市场环境，预计第四季度营收约为68亿至76亿美元。美光科技还预计，2023财年第一季度的出货量（按比特计算）将环比下降。
SK海力士下调了下半年出货量预期。SK海力士认为，上半年包括个人电脑和智能手机在内的消费电子产品受通胀影响严重，下半年个人电脑和智能手机的出货量将不如预期。
三星预计第三季度的DRAM出货量（按比特计算）将与第二季度持平，NAND闪存出货量增长约10%。三星将根据DRAM需求变动，灵活管理供应，避免过度扩张销售，重点关注DRAM业务的盈利能力。
危中带机，国际大厂远近各有布局
受市场需求不振影响，存储器大厂纷纷缩减了短期内的资本支出计划。美光科技便计划减少今年在新工厂和新设备上的资本支出，预计资本支出将较上年同期下降。SK海力士和西部数据也释放消极信号，由于面临下行周期，客户需求增长将放缓。但是存储厂商仍然看好产业的长期发展前景。美光科技虽然减少短期资本支出，却于日前宣布将在10年内，分阶段投资400亿美元建设先进存储芯片制造工厂。可见，存储大厂对长期布局仍持积极态度。
此外，在技术研发上，几大存储厂商也是互不相让。三星电子近日表示，将在年内发布236层NAND闪存产品。此前，SK海力士也宣布完成238层产品的开发，美光科技也宣布开发出232层NAND闪存产品。3D NAND可以在一块平面上进行立体堆叠，为闪存提供了更大的存储空间，层数越高，容量也就越大，向更高层数扩增，成为3D NAND技术发展的大势所趋。
升级更快的接口速度也是存储厂商推进产品升级换代，应对下行周期市场竞争的重要手段。日前，三星电子降低4Gb DDR4芯片的价格，推动行业从DDR3向DDR4过渡。目前许多消费电子产品中仍然较广泛地采用DDR3。三星电子此举将加快DDR3的淘汰进程，加快产品升级。业界预计三星电子还有可能提高新一代闪存V8-NAND的接口速度，以适应UFS 4.0闪存标准的发布。
