曾经，英特尔是存储器闪存的发明者之一（另外一家是东芝），为了保持核心业务的竞争力，摆脱存储器的价格和利润的波动，放弃了存储器业务。
早10年，CPU领域英特尔已经没有对手，于是又看上了存储器，和镁光有了合资工厂，也有自己的固态硬盘产品，但是始终没有大动干戈，态度犹豫模糊。
2016-2018年，眼看着存储器赚的盆满钵满，英特尔终于下定决心扩建大连厂，做闪存。如今，Intel又推出了eMRAM。
真是计划赶不上变化。还没有真正有多少业务，Nand和DRAM跌的惨叫。不管是DRAM内存还是NAND闪存，最近都在跌价，而且，预计2019年Q1季度DRAM内存市场均价跌幅将达20%，Q2季度会再跌15%。而NAND闪存方面大家的感受更明显，2018年市场均价跌幅已达50%，并且若仍无足够需求动能支撑，2019年NAND闪存仍可能再跌50%。
好在eMRAM是一种前沿技术，并不急于一时。
根据techpowerup的报导，EETimes上不久前发布了一份报告，该报告显示英特尔自己的商用MRAM（磁阻随机存取存储器）已经准备好大批量生产。
MRAM主要利用磁致电阻的变化来表示二进制的0和1，从而实现数据的存储，是一种非易失性存储技术，这意味着即使断电情况下，它仍然会保留住信息，同时它还有不输于DRAM的容量密度及使用寿命，平均能耗也远低于DRAM。
由于不管是DRAM内存还是NAND闪存，制程微缩已遭遇瓶颈，相对地，MRAM未来制程微缩仍有许多发展空间，MRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM内存和NAND闪存。
MRAM省电的特性，意味着英特尔嵌入式MRAM将很有可能先用于移动设备上。并且嵌入式 MRAM 被认为特别适用于例如物联网 (IoT) 设备之类的应用，也赶搭上 5G 世代的列车。
提交这篇论文的英特尔工程师Ligiong Wei说，英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10 年的数据存留，并可在超过100万个循环内实现持久性，这些都不是闪存能够比拟的。
从这件事情上看，Intel已经在谋划未来的科技了。扎根存储，看来是动了真格了。
