近年来，中国投入巨资发展存储芯片，产生了一批国内芯片龙头企业。
除了32层3D NAND于2018年底前投入量产之外，64层128G的NAND Flash有望在2019年量产。此外，国内企业正在研发128层256G的NAND Flash。
国内某企业的主攻方向就是和本次镁光和联电发生纠纷的DRAM，规划是2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nm的研发。据公开消息，国内存储芯片也即将投产。
