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VDD缩放已在0.7至0.8电压范围附近达到饱和点,这意味着我们不再能够从电压降低中获得额外的好处,并且其他泄漏水平也保持相对不变。如果我们继续增加SRAM的密度并继续采用更新的技术以在芯片中添加更多晶体管,我们就需要更多的电量来支持芯片运行。
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