随着制造工艺的提升，集成电路的晶体管尺寸从微米级降至纳米级，集成度从几十个晶体管增加到数十亿晶体管。然而，物理尺寸缩小濒临极限带来的量子隧穿效应、原子级加工工艺等问题成为制约摩尔定律延续的重要因素，并且每代工艺之间的性能提升幅度越来越小。
先进封装的意义旨在实现更大的互连密度，减少迹线长度以降低每比特传输的延迟和能量。
随着算力需求的不断提升，3D封装技术也将在2024年迎来一场“排位赛”。据悉，3D封装技术将多个芯片或器件垂直堆叠，从而显著提高集成度，缩短互联长度，进一步提升整体性能。
半导体封装领域，为了实现超越摩尔定律模式，2.5D和3D封装已成为增长最快的先进封装技术之一。
当前，MLED（Mini LED与Micro LED）产业化进程加速，在这一发展过程中起到关键影响作用的LED封装技术成为相关企业竞争的焦点。
多年来已经开发出多种3D互连技术，涵盖各种互连间距（从毫米到小于100纳米）并满足不同的应用需求。这种“3D互连景观”如下图所示。形势是高度动态的，每种技术都会及时扩展到更小的互连间距。
