11月23日，长鑫科技集团股份有限公司市场中心负责人骆晓东在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）同期举办的第七届全球IC企业家大会上表示，中国需要建立稳定的国产DRAM（动态随机存取存储芯片）产能供应链,以减少对海外厂商的产能依赖。未来一段时间，LPDDR5X和DDR5将作为移动和服务器市场的双引擎，引领行业升级。长鑫存储在IC China 2025上正式发布了其最新DDR5系列产品，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平。
DRAM内存芯片是数字时代不可或缺的基础原件。骆晓东表示，在过去几十年里，市场在不断变革，从PC时代到移动手机时代，再到数据中心以及最近非常热门的人工智能时代，整个产业周期的需求也将伴随结构升级不断演变。
骆晓东认为，DRAM产业具备三个明显的特征：一是高投资，每个DRAM产线动辄需要投入数百亿美元，涵盖设备、厂房建设、研发等各个环节，资本壁垒极高；二是高垄断，过去几年，全球几十家DRAM厂商的市场份额都在缩减，三大DRAM厂商（SK海力士、三星电子和美光科技）占据90%以上的市场份额，行业集中度非常高；三是强周期，DRAM的价格随着供需变化会出现非常大的波动，产业周期波动的幅度远超其他行业。
“最近存储行业进入了一个所谓的‘超级周期’，在这个由AI需求爆发所带来的新周期内，DRAM需求呈现爆发式增长，产能增加远远跟不上需求增加，这对市场供给、价格变化都带来了巨大影响。”骆晓东说道。他指出，当下DRAM市场供不应求的状况对下游客户和行业带来了极大的挑战。中国需要有非常稳定的国产DRAM产能供应，通过产能提升和规模效应来减少对海外厂商的产能依赖。
骆晓东表示，回顾国产DRAM发展史，产业发展长期面临三大壁垒：首先是技术壁垒，1970年英特尔推出的DRAM芯片1103奠定了整个行业发展的基础，此后半个世纪以来竞争格局不断发生变化，但是后面资本垄断的本质从未改变，海外厂商通过差异化技术路线砌起非常高的技术壁垒；同时在这样的竞争环境下，经过几十年的行业沉淀形成了非常封闭的人才梯队，而中国本土的DRAM设计、生产、研发、运营人才都非常欠缺；第三是市场壁垒，DRAM作为大宗商品，新玩家既要突破资本的门槛，更要应对巨头的规模挤压、价格以及产能调控带来的市场波动。
据了解，作为中国大陆首个实现大规模量产的DRAM厂商，长鑫填补了国内DRAM的产业空白。经过过去9年的持续破壁，长鑫取得了技术及产品的持续创新和演进。
产线建设方面，长鑫在合肥、北京建成了两大生产基地。其中，合肥生产基地是国内集成电路产业集群核心承载地，已集聚了众多产业链企业，形成了设计、制造、封装、测试、装备、材料的全产业链路格局。北京生产基地则依托京津冀产业集群快速链接上下游资源，叠加头部企业，聚焦产学研协同紧密的优势，为DRAM技术迭代、高端人才引育提供核心支撑。
产品方面，当前长鑫已完成从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X的产能与技术双重迭代，为市场与产业升级提供创新存储解决方案。DDR（计算机内存的一种类型）产品线已首发国产自主设计生产的DDR5产品，速率最高可达8000Mbps，能够大幅缓解高算力需求下的“内存墙”瓶颈。同时24Gb的大容量颗粒为构建高密度服务器模组提供支持，响应数据中心对海量数据处理的迫切需求，并推出7大模组矩阵，适配多元场景的海量算力需求。LPDDR（用于移动设备的低功耗内存）产品线在今年10月推出的LPDDR5X最高速率达到10667Mbps，跃居世界顶尖水平，产品覆盖12GB至32GB的丰富组合，并通过封装创新满足手机小型化、轻薄化以及支持端侧算力等需求。基于对整个市场趋势的深度分析，骆晓东判断LPDDR5X和DDR5将作为移动和服务器市场的双引擎，在接下去的几年内扮演重要的角色，同时也将带动整个行业的升级。
“过去尔必达因为过度执着于技术迭代，忽视市场需求变化与成本控制，最终陷入了困境，这一教训让我们坚信技术脱离市场便是无源之水，市场缺少技术则是无进阶之力。我们要以突破物理边界的魄力探索未来，更要顺应产业趋势的务实笃行不怠，在超高速率的移动赛道树立国产标杆，用稳定安全为服务器的生态筑牢算力根基，让技术创新更贴合市场脉搏，让产品落地回应真实需求。”骆晓东表示，“在内存芯片本土化的过程中，长鑫既要做敢闯敢试的破局者，又要做脚踏实地的深耕者，始终坚持技术贴合市场方能行稳致远的初心，为中国半导体的自主崛起书写创新的篇章。”
在IC China 2025博览会上，长鑫存储还展示了最高速率达10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。
