近日英特尔大连非易失性存储二期项目举行了投产启动仪式，将采用96层3D NAND存储芯片制造技术实现量产。
2006年7月，英特尔亚洲控股有限公司与大连市政府签署了总发展协议，在大连出口加工区B区建设了占地面积60公顷的英特尔半导体(大连)有限公司，用于逻辑芯片的研发生产。
2015年10月，英特尔二期项目落户大连，生产非易失性存储器芯片。经过不到三年时间，二期项目顺利实现了建成投产，创造了英特尔工厂建设历史的新纪录。
启动仪式上，英特尔宣布新投产的非易失性存储二期项目将采用世界最先进的96层3D NAND存储芯片制造技术实现量产。
阿明观察分析：据业内人士分析，英特尔大连工厂二期开始量产96层3D NAND存储芯片已经早有定居，据说之前紫光旗下的长江存储已经包了这部分英特尔大连工厂的产能，不知道这个消息是否属实？
但是从紫光旗下长江存储目前对外的新闻消息来看，没有看到类似的内容，32层3D NAND在各种渠道出现的消息证明将在2019年量产。
但是，在看到英特尔大连工厂96层3D NAND存储芯片的量产开工情况下，不知掉长江存储的32层3D NAND存储芯片如何在未来的市场中形成自己的吸引力？
——阿明／分析评论——
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