根据TrendForce 旗下记忆体储存研究（DRAMeXchange） 调查，由于DRAM 厂近两年来产能扩张幅度有限，加上制程转换的难度，DRAM 供给成长明显较往年放缓，配合下半年终端市场消费旺季，DRAM 合约价自去年中开启涨价序幕；但三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下，可能扩大DRAM 产能，此举恐将改变DRAM 供给紧俏格局。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，以主流标准型记忆体模组（DDR4 4GB） 合约价为例，从去年中开始起涨，由当时的DDR4 4GB 13 美元均价拉升至今年第4 季合约价30.5 美元，报价连续6 个季度向上，合计涨幅超过130%，带动相关DRAM 大厂获利能力大幅提升。
截至目前为止，三星第2 季度DRAM 事业营业利益率来到59%，SK 海力士也有54% 的表现，美光达44%。展望第4 季，DRAM 合约价持续上涨，各家厂商的获利能力可望继续攀升。
因DRAM 产业已进入寡占格局，理论上厂商对高获利的运作模式是乐观其成，但在连续数季记忆体价格上升的带动下，SK 海力士、美光都累积许多在手现金。
有了丰沛的资源，SK 海力士将在年底进行18nm 制程转进，无锡二厂也将在明年兴建，预计2019 年产出；美光借着股价水涨船高之际宣布现金增资，代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上预做准备，此举无疑激起三星的警戒心，三星开始思索DRAM 扩产计划。
三星可能采取的扩产动作，除是因应供给吃紧状况，最重要的是藉由提高DRAM 产出量，压抑记忆体价格上涨幅度。虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星着眼的是长期的产业布局与保有其在DRAM 市场的领先地位，及与其他DRAM 大厂维持1- 2 年以上的技术差距。
此外，明年可说是中国记忆体发展的元年，三星透过压低DRAM 或是NAND 的价格，将能提升中国竞争者的进入门槛，并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。
DRAMeXchange 指出，三星有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND 的产线，部分转往生产DRAM，并全数采用18nm 制程。加上原有Line17 还有部份空间可以扩产，预计三星最多可将2018 年DRAM 产出量达到80-100K，也代表三星的DRAM 产能可能由2017 年底的390K 一口气逼近至500K 的水准，将带动三星明年位元产出供给量由原本预估的18% 成长上升至23%。
从整体DRAM 供给来看，2018 年供给年成长率将来到22.5%，高于今年的19.5%，也就是说，明年DRAM 供需缺口将可能被弥平，预期SK 海力士与美光将加入军备竞赛以巩固市占可能性高，为DRAM 市场增添新的变数。
DRAMeXchange 认为，三星此举将可能改变DRAM 市场供给紧俏格局，只是修正目前竞争对手的超额利润，降为较合理获利结构；随着大厂将部分投资重心由NAND Flash 转往DRAM，将可望降低明年NAND Flash 供过于求的情形，进而减缓整体NAND Flash 平均售价（ASP） 下滑的速度。
DRAMeXchange 强调，三星扩厂或许对2018 年DRAM 市场将带来部分冲击，但就整体记忆体产业的长期发展来看未必是负面讯息。
