“内战”与“外战”双线并进,GaN渐入佳境

在手机通信系统当中,无论是手机端,还是基站端,射频(RF)系统的重要性越来越突出,特别是5G的发展和逐渐普及,对RF前端的性能、功耗综合水平的要求更高了。

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本文来自半导体产业纵横,作者/畅秋。

在射频应用领域,GaN逐渐落地,且正在向多维度拓展。

在手机通信系统当中,无论是手机端,还是基站端,射频(RF)系统的重要性越来越突出,特别是5G的发展和逐渐普及,对RF前端的性能、功耗综合水平的要求更高了。无论是手机还是基站,RF前端系统当中,PA(功率放大器)都是重中之重,随着5G的普及,传统半导体材料和工艺已经难以满足应用需求,特别是在基站端,是多种新工艺施展拳脚的绝佳舞台。

凭借高功率、高频工作环境下的优良性能,氮化镓(GaN)正在快速崛起,特别是在RF应用领域,GaN都代表着高功率和高性能应用场景的未来,将在很大程度上替代砷化镓(GaAs)和LDMOS。

Strategy Analytics指出:基站是RF GaN收入的主要来源,且增长最快。RF GaN器件(主要是PA)在商业和国防应用中的基本面非常强劲,预计到2025年收入将接近20亿美元。

在基站端,传统LDMOS工艺用的比较多,但是,LDMOS技术更适用于低频段,在高频应用领域存在局限性。为了适应5G网络对性能和功率效率的需求,越来越多地应用到了GaN,它能较好地适用于大规模MIMO。在手机端,射频前端PA还是以GaAs工艺为主,目前还看不到GaN的机会,主要原因是成本和高电压特性,这在手机内难以接受。不过,随着工艺水平的提升,以及成本的下降,未来,RF GaN应用于手机等便携式设备是可以期待的。

由于基站越来越多地用到了多天线MIMO技术,这对PA提出了更多需求。预计到2022年,4G/5G基础用的射频半导体市场规模将达到16亿美元,其中,MIMO PA的年复合增长率将达到135%,射频前端模块的年复合增长率将达到119%。

相对于4G,5G基站用到的PA数会加倍增长。4G基站采用4T4R方案,按照三个扇区,对应的射频PA需求量为12个,5G基站中,预计64T64R将成为主流方案,对应的PA需求量高达192个。

GaN PA前景可期

虽然,5G发展前景可期,但相关技术依然未达到成熟水平,特别是功耗问题,无论是基站,还是手机,都存在这个问题。

特别是基站,目前来看功耗比4G高出不少,而在所有耗电的芯片元器件当中,PA是大户。因为射频信号功率很小,只有经过PA放大获得足够的射频功率后,才能馈送到天线并发射出去,因此,PA是基站发射系统的重要器件。与此同时,PA也是最耗电、效率较低的器件,有统计显示,约一半的基站功率消耗在了PA上。

基站用PA市场空间巨大,但其性能和功率效率问题亟待解决。在这样的背景下,新工艺技术替代传统工艺早已被提上了议事日程。

GaN具有优异的高功率密度和高频特性。GaAs拥有微波频率和5V至7V的工作电压,多年来一直广泛应用于PA。硅基LDMOS技术的工作电压为28V,已经在电信领域使用了许多年,但其主要在4GHz以下频率发挥作用,高频应用较少。相比之下,GaN的工作电压为28V至50V,具有更高的功率密度和截止频率,在MIMO应用中,可实现高整合性解决方案。

在宏基站PA应用中,GaN凭借高频、高输出功率的优势,正在逐渐取代LDMOS;在小基站中,未来一段时间内仍然以GaAs工艺为主,这是因为它具备可靠性和高性价比的优势,但随着GaN器件成本的降低和技术的提高,GaN PA有望在小基站应用中逐步拓展。

在不久的将来,大部分6GHz以下宏基站应用都将采用基于GaN工艺的PA,5G网络采用的频段更高,穿透力与覆盖范围将比4G更差,因此,小基站将在5G网络建设中扮演很重要的角色。不过,由于小基站不需要如此高的功率,GaAs等现有技术仍有其优势。而传统的LDMOS工艺在基站用PA市场的份额将逐年减少。

GaN衬底之争

目前,GaN外延片主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)。另外,还有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN,不过这两种衬底的应用市场很有限。

在性能方面,GaN-on-SiC相对更好,但价格明显高于GaN-on-Si。GaN-on-Si生长速度较快,也较容易扩展到8英寸晶圆。虽然GaN-on-Si性能略逊于GaN-on-SiC,但目前工艺水平制造的器件已能达到LDMOS原始功率密度的5-8倍,在高于2GHz的频率工作时,成本与同等性能的LDMOS相差不大。

GaN-on-SiC结合了SiC优异的导热性,以及GaN的高功率密度、低损耗能力,与Si相比,SiC是一种非常“耗散”的衬底,此基板上的器件可以在高电压和高漏极电流下运行,结温将随射频功率而缓慢升高,因此,其射频性能更好,是射频应用的理想材料。在相同的耗散条件下,SiC器件的可靠性和使用寿命更好。另外,SiC具有高电阻特性:这非常有利于毫米波传输,这在设计带有大型匹配电路的高频MMIC时很有价值。但是,SiC衬底仍然限制在4英寸与6英寸晶圆,8英寸的还没有推广。

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目前,业界多数商用RF GaN器件采用GaN-on-SiC衬底。

SiC独特的电子和热性能使其非常适合高功率和高频半导体器件,其性能远超过Si或GaAs。GaN-on-SiC技术的关键优势包括降低开关损耗、更高的功率密度、更好的散热和更高的带宽容量。在系统层面,可以实现高度紧凑的解决方案,大大提高功率效率,降低成本。

在射频应用方面,Wolfspeed(Cree)拥有最强的实力,在射频应用的GaN HEMT专利竞争中,尤其在GaN-on-SiC技术方面,该公司处于领先地位。英特尔和MACOM是最活跃的射频GaN专利申请者,主要聚焦在GaN-on-Si技术领域。GaN射频HEMT相关专利领域的新进入者主要是中国厂商,如HiWafer(海威华芯)、三安集成和华进创威。

GaN-on-Si发展提速

虽然GaN-on-Si性能略逊于GaN-on-SiC,但硅基技术与CMOS工艺兼容,使GaN器件与CMOS工艺器件能很好地集成在一块芯片上。这使得GaN-on-Si成为市场的潜力股,未来有望大量导入5G基站PA。

GaN-on-Si器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。理论上相同击穿电压与导通电阻下的芯片面积仅为Si的千分之一,目前能做到十分之一。

与传统LDMOS工艺相比,GaN-on-Si的性能优势很明显,它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高了4到6倍,并且可扩展至高频率。

与GaN-on-SiC相比,GaN-on-Si方案最大的优势就是衬底成本低,器件工艺能量密度高、可靠性高,也更容易向8英寸等大尺寸晶圆转移,以提升成本效益和投入产出比。此外,其与CMOS具有较好的兼容性,可以利用现有硅晶圆代工厂已有的规模生产优势,实现产品的规模量产和快速上市。而从应用发展角度来看,5G通信对射频元器件的需求正在快速增加过程中,需要大批量、低成本的GaN射频芯片,而这也给GaN-on-Si提供了发展契机。

作为挑战者,GaN-on-Si商用仍在起步阶段,有望提供经济高效和可扩展的解决方案,截至2021年第二季度,其市场容量很小,但这种PA凭借高带宽和小尺寸吸引了智能手机OEM。随着关键厂商的技术进步,一些低于6GHz的5G手机很可能很快采用。

最近,代工厂的进入,以及与新兴GaN-on-Si功率电子器件产业的协同效应正在加速其RF应用发展。有统计显示,在手持设备、国防和5G电信基础设施的推动下,预计到2026年,GaN-on-Si器件市场复合年增长率将达到86%。

厂商方面,Qorvo、Wolfspeed等传统大厂都倾向于采用GaN-on-SiC方案,使得该技术成为了目前市场的主流。但是GaN-on-Si凭借其先天优势,正在被越来越多的厂商采用。目前来看,MACOM,Ommic、三安光电,英诺赛科等厂商在重点研发基站用GaN-on-Si射频和功率芯片(包括Sub-6GHz和毫米波两大频段)。特别是MACOM,该公司是GaN-ON-Si工艺的主要倡导者。

5月中旬,意法半导体和MACOM宣布,RF GaN-on-Si原型芯片制造成功。据悉,意法半导体制造的RF GaN-on-Si原型晶圆和相关器件已达到成本和性能目标,完全能够与市场上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术展开有效竞争。现在,这些原型即将进入认证测试和量产阶段,意法半导体计划在2022年实现这一重要目标。为此,该公司和MACOM已着手研究如何加大投入力度,以加快RF GaN-on-Si产品上市。

结语

相较于SiC在功率器件市场的如鱼得水,GaN在射频领域的应用更具优势,当然,GaN在功率应用领域同样有存在感,如近些年十分吸引眼球的、以GaN器件为核心的手机充电器。总体来看,GaN比SiC的应用领域更加广阔。

根据不同的衬底选择,GaN的应用会更加多样化,GaN-on-SiC基的性能更佳,但成本高昂,主要用于以基站为代表的大功率应用场景。随着GaN应用的普及,特别是向手持式设备的RF模组渗透,其对性能的要求没有GaN-on-SiC那么高,但成本更加敏感,此时,GaN-on-Si的特点就凸显出来,其低成本和与CMOS工艺兼容性好的优势就具有了高权重,与以往相比,表现出了更广阔的发展前景。

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