资料图（来自： Micron，via AnandTech）
值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，较同频的两个 8Gb DDR4 DRAM 还要低 40% 。
至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光称其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工艺较第二代 1Y nm 的比特密度更高，该公司可产出性价比更高的存储芯片。
鉴于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分档，我们只能预计其符合 JEDEC 的官方指定范围内。
预计首批 16 Gb DDR4 DRAM 产品将用于台式机、笔记本、工作站上的高容量（32GB 或更高）内存模组。
移动存储器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的传输速率可达 4266 MT/s 。
除了为高端智能机提供高达 16 GB （8x16Gb）的 LPDDR4X DRAM 封装，美光还将提供基于 UFS 的多芯片封装（uMCP4），将 NAND 用于存储和 DRAM 。
该公司针对主流手机的 uMCP4 系列产品，将包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等产品。
最后，美光没有透露其生产 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工厂。不出意外的话，应该会在日本广岛工厂内生产。
与此同时，分析师猜测该公司会在台中附近的 Micron Memory Taiwan （前 Rexchip Semiconductor）晶圆厂启用 1Z nm 制程生产线。
