近期，合肥长鑫的DRAM首次投片，产品规格为8GBLPDDR4。合肥长鑫此次投片的8GBLPDDR4属于19nmDRAM工艺，在12英寸的硅片上可以制作900个产品，如果成品率为100%，代表着900个产品都可以售卖使用。但是据消息称，此次合肥长鑫将成品率的目标定在了10%。“对于合肥长鑫来说，首次进行投片，成品率不是最重要的，重要的是，能否实现从0到1的跨越。因为第一次流片的成功率普遍很低，甚至有Fab厂进行过五次的投片。一旦成品率为0，那就说明工艺存在问题。”专家表示。
有分析人士指出，合肥长鑫宣称目标在于19纳米的DRAM内存，初期产品良率目标为不低于10%，这意味着从初期试产进入稳定量产还有漫漫长路，加上合肥长鑫发展的DDR4移动式内存为市场主流，未来恐难逃大厂专利的钳制。今年初，福建省晋华集成电路有限公司(JHICC)对美国芯片巨头美光(Micron)提起诉讼，指其部分SSD固态硬盘、内存条产品侵犯专利权，要求法院禁售。7月3日，福州市中级人民法院裁定，美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口十余款英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时，法院裁定美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。这是中国发展半导体被指称“窃密”和“侵权”以来，首次成功重拳回击。
今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。从目前三家厂商的进度看，其试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能会集中在2019年上半年。
分析人士指出，紫光集团旗下的长江存储发展情势较为乐观，已获得首笔超过1万颗的晶片订单，但32层3DNANDFlash量产规模仍有限，单月仅约5,000片，长江存储的研发重点将集中于64层3DNANDFlash，目标2018年底前推出第一个产品样本。
中国手机品牌亟待国产存储
中国手机品牌在全球市场表现亮眼。全球智能手机品牌出货量TOP10中，国内厂商占7个席位。数据显示，我国每年芯片进口额超过两千亿美元，其中，存储芯片占比接近50%。2017年中国进口存储芯片889.21亿美元，比2016年的637.14亿美元增长39.56%。
从2016年开始，DRAM的价格多次提高。2017年，DRAM芯片价格大涨了47%，创下了30年来的最大涨幅。从今年年初到现在，DRAM价格涨幅开始有所下降，不到10%，但对利润空间本来就很小的中国手机品牌来说，承受着巨大的压力。5月31日，中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。据相关消息称，今年4月28日，三星电子、海力士公司以及美光科技被指控串谋限制DRAM内存芯片供应，被提出集体诉讼。至于三家公司过去几年是否真的实施了价格操纵、垄断市场的行为，相信中国反垄断机构最终会给出答案。
