IBM作为MRAM的最早研发者，极大推动了第一代Toggle MRAM和第二代STT-MRAM的研发。就原理来讲，这两代都基于MTJ结构，相比Toggle MRAM，ST-MRAM的集成度更高，且读写寿命近乎无限，能够适应更多的场景。
NVMe SNAP可以无缝集成到采用任何操作系统或虚拟机管理程序的几乎所有服务器中，支持在不同的数据中心环境更快地采用NVMe over Fabrics (NVMe-oF)，从而有效地为任何应用程序立即部署NVMe-oF技术。
半导体市场研究机构 IC Insights 本周发布的最新报告显示，由于存储芯片(主要包括DRAM和NAND闪存)市场景气周期结束，三星电子在2019年的营收可能会下降19.7%。
不管怎么说，将服务器部署到每个机架中的聚合交换机中，并仅铺设到达核心交换机的几条光缆，要比勉强将全部线缆插入到几个大型交换机更为简洁。
本周的Storage Field Day上，西数透露正在开发自家的名为“存储及内存（SCM）”的低延迟闪存，据悉该技术介于3D NAND与DRAM之间，其访问延迟在微妙级，使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元，旨在挑战英特尔的傲腾和三星的Z-NAND。
一度被调侃为“跑赢了房价”的存储芯片，如今突然迎来8年来最大跌幅，国际巨头对中国厂商“围剿”的争议也再次出现。
