据IC Insights统计，今年半导体行业资本支出总额将升至1,020亿美元，首次超过1,000亿美元大关。相比去年，今年的支出总额比2017年的933亿美元增长9%，比2016年增长38%。
今年还有两个月，预计将会有超过一半的行业资本支出用于存储器生产，主要是DRAM和闪存，包括升级现有的晶圆制造生产线、更新制造设备等。总体而言，预计存储产业将占今年半导体资本支出的53%。存储器生产设备的资本支出份额在近六年内大幅增加，从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的53%(540亿美元)，相当于2013到2018年总资本支出的30%。
上图显示的主要的产品类别中，预计DRAM和SRAM的支出增幅最大，而闪存占据今年资本支出的最大的份额。预计2018年DRAM/SRAM产业的资本支出将实现41％的增长，而闪存的资本支出将在2017年增长91％后缓慢增长13％。
经过两年的资本支出剧增后，目前面临的一个更紧迫的问题是：大量的资本支出会导致产能过剩和价格下降。闪存市场的历史经验表明，过多的支出通常会导致产能过剩，随后会使价格疲软。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/SanDisk和XMC/长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量。IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在不断增长。
