长江存储杨士宁：Xtacking™架构有三大技术突破，64层3D NAND将在明年量产出货。
近日，中国闪存市场峰会（CFMS2018）在深圳举行，长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构：释放3D NAND潜能”为主题，介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。
随着人工智能的应用，要求分析数据的速率也越来越快。杨士宁表示，闪存市场增长的很快，64层3D NAND已经量产，这相当于最新的苹果A12芯片7nm工艺技术；实际上，NAND也是根据摩尔定律往前推进，我们终端设备需要的数据越来越多，分析的速率也越来越快，技术也需要不断突破。Xtacking™一个新的架构，通过Xtacking™，周边控制电路设计可以随意选择逻辑电路的先进工艺。采用Xtacking™，可在一片晶圆上独立加工负责数据输入输出及记忆单元操作的外围电路。这样的逻辑电路加工工艺，可以让NAND获取所期望的高I/O接口速度和功能。
在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。通过Xtacking™技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
杨士宁表示，我们最早是从9层堆栈的NAND芯片验证开始做，现在我们64层堆栈的3D NAND芯片验证刚刚取得成功。在未来的发展中，长江存储将主要注重大规模存储器研发设计和制造，我们第一代NAND产品已经量产上市，客户的反馈还是非常正面的，我们希望第二代3D NAND产品将于明年量产上市后，开始赚钱。
