DRAM和NAND FLASH的存储芯片自2016年以后经历了持续2年的涨价周期，成为半导体行业景气周期最主要的驱动力，目前存储在半导体行业产业占比超过1/3，其本身的周期对于半导体行业的周期影响较大，未来存储的周期景气持续时间有多久？这关成为影响半导体整体行业景气度的关键变量。我们的判断是：1）DRAM景气周期将比NAND FLASH更长；2）我们判断NAND FLASH于2018年见顶，而DRAM景气高点将在2019年以后。
从需求端来看，本轮存储的升级最大来源于云存储、AI计算的爆发增长带来的DRAM和NAND FLASH在服务器中需求大幅增长，同时4G全面推广以后，智能手机拍照视频分辨率持续提升，带动了DRAM从2GB到4GB到6GB的持续提升，存储也从16、32GB主流升级到64GB、128GB的主流配置。据IHS统计，DRAM在2016-2018年保持20%以上复合增速，而NAND FLASH在2016-2018年保持38%的复合增速。
我们认为对于行业景气影响最大的在于产能扩张速度，2016和2017年，DRAM和NAND FLASH扩产速度都较慢，供需缺口持续上升推升了DRAM和NAND FLASH价格。而我们判断，在2018年，随着三星等3D NAND的良率提升，NAND FLASH的产能将会有大幅改善，预计18-19年行业NAND FLASH产能增速在45%以上，供需不足的剪刀差将大幅缩小，所以我们判断NAND FLASH价格将在2018-2019年持续承压。
另外方面DRAM的产能扩张相对会比NAND更为温和，其中17、18年主要是以份额相对较小的美光和海力士扩产为主，三星的产能预计在18下半年开出（主要是Pyeongtaek工厂），所以从节奏上来看，18年下半年产能增速会相对较快，考虑到今年开始，国产手机大部分新机完整从2GB到3GB、4GB到6GB的升级，我们判断判断供需矛盾缓解要到2019年以后。
从更长的周期来看，未来AI服务器对于DRAM和NAND FLASH的需求量更大，而5G时代到来以后，手机更有望向10GB的DRAM和更大容量存储升级，2019年以后的需求仍然将保持快速的增长，NAND FLASH和DRAM在景气高点过去以后，我们判断价格不会出现大幅下滑。
回到投资策略，我们继续坚定看好下半年消费电子的复苏行情，首推光学创新，重点标的是水晶光电和欧菲科技，立讯精密、顺络电子、信维通信和天通股份我们也坚定看好。
