固态硬盘（SSD）与NAND闪存（flash）几乎可说是同义词，但业界一直在尝试使用各种不同的持久型内存，同时取得了不同程度的成果。
Mobiveil Inc.和Crossbar Inc.最近宣布正进行一项合作，致力于在SSD中使用可变电阻式随机存取内存（ReRAM）。这项合作计划是将Mobiveil的NVMe SSD IP放在Crossbar的ReRAM IP区块中；其目标在于以flash NVMe SSD十分之一的超低延迟实现更高10倍的IOPS，从而为大型数据中心加速存取经常要求的信息。
Mobiveil首席执行官Ravi Thummarukudy表示，该公司的NVMe、PCIe和DDR3/4控制器能轻松地搭配Crossbar ReRAM架构，使其能以低于10us的延迟实现512-bit IOPS。他表示，Mobiveil的NVM Express控制器架构的设计是专为链路和吞吐量利用率、延迟、可靠性、功耗和芯片封装而优化的，并能搭配其PCI Express （PCIe）控制器和Crossbar ReRAM控制器共同使用。
Mobiveil的NVMe控制器IP配备了AXI接口，可用于简化与FPGA和SoC的整合。其他IP子系统组件包括PCIe Gen 3.0、DDR3/4和ONFI控制器。其FPGA开发平台包括可根据用户应用验证NVMe IP解决方案的BSP和驱动程序。同时，Crossbar的ReRAM技术可以整合于标准的40nm CMOS逻辑或作为独立内存芯片生产。
Thummarukudy表示，自从英特尔（Intel）和美光（Micron）推出3D Xpoint后，业界对于持久型内存越来越有兴趣。Crossbar策略营销和业务开发副总裁Sylvain Dubois表示，Mobiveil和Crossbar自去年起展开合作，除了为基于ReRAM的SSD开发IP，双方并合作将ReRAM整合于NV-DIMM中。Dubois说：“NV-DIMM是我们以SSD进行开发的自然演变结果。”
在SSD中使用ReRAM的主要优点在于移除了垃圾回收（GC）所需的大部份后台内存存取，从而降低储存控制器的复杂度。而且也因为不需要在闪存设计中打造大块内存，因而能提供独立的原子擦除。
Mobiveil的NVMe SSD IP在用于Crossbar的ReRAM IP模块时，能以低于Flash NVME SSD十分之一的延迟时间实现更高10倍的IOPS。但无论是Mobiveil或Crossbar都不会自行打造实际的SSD或NV-DIMM，而只是开发IP，让其他业者能用于打造自家解决方案，Thummarukudy说。
Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示，Mobiveil和Crossbar这两家公司的合作，并不是业界第一次尝试从其他NAND flash中打造SSD，包括制作基于DRAM的SSD而失败了。他表示，这项合作成果似乎与英特尔的Optane产品相似。Handy并补充说，英特尔和美光坚持认为，Optane并未使用被认为是ReRAM子集的相变内存（PCM）。
Handy说，英特尔Optane是迄今唯一的3D Xpoint产品，该芯片与Crossbar的ReRAM类似。“这两种芯片本身都接近于DRAM的速度，但具有持久性，”Handy说，“只要把它们放在NVMe控制器后面，最终就会变得非常快速。”
Handy表示，3D Xpoint最令人失望之处在于美光与英特尔声称其速度比NAND flash更快上千倍，但实际速度只快了七到八倍。
Handy预计Mobiveil和Crossbar基于ReRAM的SSD将遭受同样的命运。“NVMe接口在延迟占据重要地位，”他说。
当英特尔推动NVMe规格时，早在该公司发布3D Xpoint之前，就确定会支持3D Xpoint。Handy说：“他们绝对不会忘记，而且也不只是优化NAND flash的接口。”
Handy表示，尽管有些客户可能想要打造基于ReRAM的SSD，但这是一个很小的市场。“它的价格一定会很贵。这和NV-DIMM市场毕竟是不一样的。”
Handy表示：“目前的NV-DIMMS比DRAM更昂贵，甚至比SSD更昂贵，但能为那些愿意花更多钱买单的用户提供了极高的速度。”
Handy表示，Crossbar基于ReRAM的SSD将会找到市场利基点，让客户愿意为持久性和高性掏出更多钱来，他并补充说，英特尔看来像是在赔本卖Optane，但其实这有助于该公司卖出更多昂贵的处理器。
Handy说，采用3D NAND的SSD并不在任何风险。他说：“他们比起用Crossbar ReRAM制造的任何东西都更经济得多。”
