原标题：存储器荣景未完待续！外资：将旺到明年，美光进补
存储器短缺情况好转，不过市场仍然畅旺，云端客户估计供给会一路吃紧到明年，今年第四季行动 DRAM 价格将续涨，美光Flash 存储器的成本结构大幅改善，未来还会继续降低。所以这对于美光来说是优势。
存储器供不应求情况改善、价格涨势趋缓，不少人忧心好景不再。但是两家外资出面喊多，预测存储器会一路旺到 2018 年，美光（Micron）等将受惠。
巴伦周刊（Barronˋs）两篇报导称，摩根士丹利（大摩）分析师 Joseph Moore 14 日报告称，他们和运算端客户谈话发现，存储器短缺情况好转，不过市场仍然畅旺，云端客户估计供给会一路吃紧到明年，今年第四季行动 DRAM 价格将续涨。此外，当前 DRAM 和 NAND 现货价走势持平，但是仍高于合约价。
Stifel Nicolaus 分析师 Kevin Cassidy 参加美国加州 Santa Clara 的快闪存储器峰会，注意到 NAND 持续短缺。Cassidy 报告称，尽管资本开支飙升，与会者仍大谈 NAND Flash 供给吃紧。这是因为经费主要用于增加晶圆层数，而非晶圆产能，预估 NAND Flash 供不应求情况会延续到 2018 年。
Cassidy 指出，美光具有优势。报告称，美光 Flash 存储器的成本结构大幅改善，未来还会继续降低。美光重申该公司 3D NAND die 尺寸为业界最小，成本更具竞争力。美光 3D NAND die 体积小，是因采用浮闸式（Floating Gate）架构，此种架构常用于平面 NAND。三星、东芝、SK 海力士（SK hynix）则采电荷捕捉层式（Charge Trapping Layer）架构。
