存储器模组厂全部认为DRAM的缺货状况将持续，价格将维持在高档；今年DRAM与NANDFlash缺货几乎达一整年，加上NORFlash亦因缺货带动价格高涨，使得制造厂南亚科、华邦电及旺宏本业营运第三季看涨。
存储器模组厂创见预期，未来DRAM与NANDFlash缺货状况仍将持续，价格将维持在高档。威刚也认为第三季在DRAM供给依然吃紧，再加上3DNANDFlash新制程良率有待提升，公司营运表现可望优于第二季。
存储器持续缺货 南亚科华邦电等制造厂受惠
宇瞻也持同样看法，预期DRAM全球供货吃紧将延续；主要是制程转进20纳米以下，设计、生产难度大幅提升，至于需求端产品分类趋复杂，生产规划难度增加。应用方面，上半年服务器标案需求强劲；第三季手机大厂推新机，平均存储器容量3~6GB，搭载量增加。今年DRAM位元需求成长率估22.5%，三大主要供应商因先进制程难度提高以及获利为导向，整体供给仍吃紧。
受到DRAM供货短缺仍未纾解，加上地缘政治紧张的预期心理，市场涨势可望延续至今年第四季。第三季随着DRAM价格上涨，南亚科本业营运可望更上一层楼。NORFlash今年也加入缺货的行列，华邦电及旺宏将同步受惠，并支撑股价仍处于相对高档。
