据外媒消息，三星电子 NAND Flash 技术再升级，9 日宣布研发出容量达 1 Tb（terabit）的 3D NAND 芯片，预计明年问世。三星宣称，这一技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一，本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD（固态硬盘）上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。
多家外媒报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片（即垂直堆叠的 3D NAND），容量是当前最大存储器 512Gb（gigabit）的两倍。三星将采用16层堆叠的方式生产出容量达2TB（terabyte）的闪存，大幅提升储存容量。三星宣称，该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。
1Tb 相当于 126GB，以一部2小时的HD电影通常1.5-2GB来看，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智慧和物联网，数据密集的应用程式大增，Flash 存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。三星电子本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD（固态硬盘）上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。
同时，三星发布 NGSFF 固态硬盘（Next Generation Small Form Factor SSD），将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，将于今年第四季量产。
三星 2016 年发表 Z-SSD 技术，现在首度发表采用此一技术的 SZ985 固态硬碟，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬碟的七分之一。
从 2013 年三星电子在全球率先实现 V-NAND （第一代，24层）量产，到今年实现第四代 V-NAND 的量产引领创新，三星存储器部门高层表示，未来三星电子将积极应对人工智能（AI）、大数据等未来高新半导体的需求。
